Tương lai smartphone sẽ có bộ nhớ 1TB
Theo EnGadget, đại học Rice ở Texas (Mỹ) đã nghiên cứu trong 5 năm để phát triển một loại RRAM (Resistive RAM) với dung lượng lớn. Bí quyết tăng bộ nhớ nằm ở việc dùng silicon - chất liệu vừa quen thuộc với các nhà nghiên cứu vừa có độ bền cao.
RRAM có thể được tạo với các công cụ, thiết bị hiện tại ở nhiệt độ phòng nên việc đưa vào sản xuất đại trà không phải điều quá khó khăn. Tuy nhiên, điều này không có nghĩa RRAM sẽ có mặt ngay trên thị trường mà còn phụ thuộc vào việc tìm kiếm đối tác để sớm đưa công nghệ này vào trong dây chuyền sản xuất.
RRAM với dung lượng lên đến 1 TB được kỳ vọng sẽ thay thế bộ nhớ flash phổ biến trên điện thoại hiện nay, giúp thiết bị hoạt động nhanh hơn và phù hợp với xu hướng điện toán 64-bit trên di động.
Nghiên cứu này vẫn sẽ cần thêm nhiều thời gian để phát triển và hoàn thiện nhưng chắc chắn ý tưởng mới này sẽ là một bước đột phá trong tương lai và nó sẽ là một bước ngoặt lớn trong công nghệ sản xuất smartphone hiện nay. Lúc đó nó sẽ đáp ứng hoàn hảo cho nhu cầu của người dùng.
Năm Ảo